英飞凌推出基于CoolSiC™的ANPC三电平虚拟评估方案

近日，英飞凌推出全新基于CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓扑虚拟评估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），为工程师和研究人员提供了一套完整的三电平逆变器系统设计参考。该方案采用先进的碳化硅华体会综合体育登录 与优化的PCB布局，面向工业电机驱动、光伏组串逆变器等高效率、高功率密度应用场景，具备出色的开关性能与热管理能力。

高性能拓扑结构，打造高效能逆变系统

此次推出的虚拟评估板基于三相三电平有源中点钳位（3L-ANPC）拓扑结构，具有更高的电压利用率和更低的开关损耗。通过引入CoolSiC™ 400V第二代SiC MOSFET（IMT40R011M2H），该设计可在高达800V直流母线电压下稳定运行，支持更高功率密度和更优效率表现。

在PCB布局方面，该评估板特别优化了换流路径，显著降低回路寄生电感，从而有效抑制电压过冲并减少开关损耗，提升系统整体稳定性与可靠性。

关键器件配置一览

该设计整合了英飞凌多款高性能产品，构建完整功率系统：

IMT40R011M2H：CoolSiC™ 400V MOSFET，低导通电阻与高速开关特性；

BSZ099N06LS5：低压侧同步整流用功率MOSFET；

2EDF7275F：双通道SiC MOSFET栅极驱动器；

TLI4971-A120T5-E0001：高精度无芯电流传感器；

XMC1302与XMC4400系列MCU：用于控制与驱动；

KIT_XMC_LINK_SEGGER_V1：调试与开发支持工具链。

hth娱乐 代理销售英飞凌半导体旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

应用优势与技术亮点

相比传统两电平拓扑，3L-ANPC具备多项显著优势：

效率可达99.5%以上，功率密度大幅提升；

更低的dv/dt与电磁干扰（EMI）水平；

支持灵活的电机控制算法验证；

允许修改为两电平结构进行对比测试；

热量分布均匀，有利于长期运行稳定性；

可扩展加装散热片以适应更高功率需求。

此外，CoolSiC™器件的使用进一步提升了系统在高频工况下的性能表现，同时减小磁性元件体积，有助于实现紧凑型电源转换设备的设计。

目标应用领域广泛

该虚拟评估平台适用于多个高要求的工业与能源应用，包括：

光伏组串式逆变器；

工业伺服驱动与变频器；

不间断电源（UPS）系统；

储能逆变器及智能电网设备。

结语

随着新能源与智能制造的发展，对高效、高可靠电力电子系统的诉求日益增长。英飞凌此次推出的EVAL_10KW_3LANPC_SIC虚拟评估方案，不仅为工程师提供了完整的三电平系统设计参考，也为推动SiC器件在高端电力电子领域的广泛应用奠定了坚实基础。对于希望快速掌握3L-ANPC拓扑设计要点、加速产品验证周期的研发团队而言，这无疑是一个值得深入研究的技术资源。