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士兰微电子SiC MOSFET荣获ICDIA 2025创新突破奖

来源:士兰微电子| 发布日期:2025-07-16 11:55:59 浏览量:

在刚刚落幕的“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)上,士兰微电子凭借其最新的SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获了2025中国创新IC“创新突破奖”。此次盛会于2025年7月11日至12日在苏州成功举办,吸引了众多行业专家和企业的关注。

强芯评选:推动华体会打广告的直播 自主创新

由中国集成电路设计创新联盟组织的“强芯评选”,旨在挖掘并表彰国内技术领先、性能卓越且质量可靠的创新IC产品。该评选不仅为系统整机厂商、品牌终端以及用户单位提供了优质的华体会打广告的直播 选型指南,同时也促进了自主可控的产业生态建设。作为年度国产IC推优平台,“强芯评选”对推动我国集成电路产业的创新发展具有重要意义。

士兰微电子SiC MOSFET荣获ICDIA 2025创新突破奖

SCDP120R007NB2CPW4:高性能SiC MOSFET的新标杆

士兰微电子此次获奖的产品SCDP120R007NB2CPW4是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用公司自主研发的碳化硅工艺技术制造。这款器件具备极低的导通电阻(典型值为5.5mΩ),有效降低了传导损耗与开关损耗,实现了更高的功率密度,并提供了优异的热管理性能。其封装形式为TO-247Plus-4L,适用于多种高要求应用场景,如汽车主驱、光伏储能、充电桩等。

“一体化”战略助力士兰微电子持续增长

近年来,士兰微电子积极推进“一体化”战略,通过不断推出具有竞争力的产品,积极拓展大型白电、汽车、新能源、工业、通讯及算力等高端市场领域。得益于这一战略的成功实施,公司整体营收呈现出快速增长的良好态势。特别是在碳化硅产品的开发与应用方面,士兰微电子已经建立了涵盖晶圆、分立器件和模组在内的多元化产品线,全面覆盖了从汽车到工业电源等多个重要领域。

目前,士兰微电子的第二代碳化硅产品已实现稳定量产,并赢得了市场的广泛认可。而备受期待的第四代碳化硅产品也计划在今年内正式推向市场,进一步巩固公司在碳化硅领域的领先地位。

扩大产能,迎接未来挑战

为了满足日益增长的市场需求,士兰微电子正在加速推进其碳化硅产能扩张计划。预计到2025年,位于厦门的8英寸碳化硅生产线将实现通线并投入生产,这将极大提升公司的生产能力与效率。未来,士兰微电子将继续依托先进的技术和强大的生产能力,致力于为客户提供更高品质、更多样化的碳化硅产品,持续推动功率半导体国产化进程,为中国绿色能源事业贡献力量。

此次获得“创新突破奖”的SCDP120R007NB2CPW4不仅是士兰微电子技术创新能力的体现,更是其多年来坚持自主研发、深耕细作的结果。随着新技术、新产品的不断涌现,士兰微电子正逐步成为全球碳化硅华体会综合体育登录 领域的重要参与者之一。

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