英飞凌推出TOLL/DFN封装CoolGaN™ G5氮化镓晶体管，优化高频电源设计

英飞凌近日正式发布基于第五代氮化镓（GaN）技术的CoolGaN™ 650V G5功率晶体管，新增采用底部散热设计的TOLL与DFN封装型号。该系列产品在高频、高效率电源系统中展现出卓越性能，满足工业及消费类应用对小型化与高可靠性的严苛要求。英飞凌代理授权、原厂货源 - hth娱乐 为您介绍该产品：优势、应用领域及可选型号。

新一代封装提升热管理能力

新推出的TOLL和DFN封装引入底部冷却结构，显著改善热传导路径，提高器件在高功率密度环境下的散热效率。这一设计不仅有助于降低PCB布局复杂度，还支持更高开关频率下的稳定运行，适用于AC-DC转换器、DC-DC变换器、USB-C充电器、光伏逆变器以及车载OBC等应用场景。

关键电气特性强化系统能效

CoolGaN™ G5系列延续了增强型氮化镓晶体管的核心优势，具备以下关键参数：

650V击穿电压，适用于主流高压输入场景；

超低栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss），大幅减少开关损耗；

无反向恢复电荷（Qrr），实现零反向恢复损耗，提升高频工况下的效率；

支持反向导通模式，适用于同步整流拓扑；

动态导通电阻RDS(on)极低，确保导通损耗最小化；

出色的换向鲁棒性（commutation ruggedness），增强系统在硬开关条件下的稳定性；

高ESD防护等级：2kV HBM与1kV CDM，提升装配与现场使用可靠性。

此外，所有型号均已通过JEDEC标准认证（JESD47/JESD22），确保长期工作稳定性与量产一致性。

型号列表覆盖多种功率需求

本次发布的CoolGaN™ G5系列包括多个型号，涵盖不同导通电阻与封装形式：

IGT65R025D2ATMA1（25mΩ，TOLL）

IGT65R035D2ATMA1（35mΩ，TOLL）

IGT65R045D2ATMA1（45mΩ，TOLL）

IGT65R055D2ATMA1（55mΩ，TOLL）

IGT65R140D2ATMA1（140mΩ，TOLL）

IGLD65R055D2AUMA1（55mΩ，DFN）

IGLD65R080D2AUMA1（80mΩ，DFN）

IGLD65R110D2AUMA1（110mΩ，DFN）

IGLD65R140D2AUMA1（140mΩ，DFN）

如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

应用价值与系统优势

CoolGaN™ G5系列凭借其优异的开关性能与热管理能力，在以下方面为工程师带来显著优势：

支持高频工作：适用于MHz级开关电源设计，减小磁性元件体积；

提升能效表现：减少导通与开关损耗，助力实现98%以上系统效率；

推动高功率密度方案落地：更小封装+更高效率=更紧凑的电源模块；

降低BOM成本：减少外围元件数量，简化驱动与散热设计。

适用领域广泛

CoolGaN™ G5系列已面向多个高性能电源应用开放：

数据中心服务器与GPU供电单元

快充适配器与USB-C PD充电器

工业电源与通信设备AC-DC模块

光伏逆变器与储能系统

电动汽车车载充电机（OBC）与快充桩