英飞凌推出顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ SiC MOSFET，赋能高功率工业应用

近日，英飞凌科技正式发布采用新型顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET系列产品。该系列器件基于第二代碳化硅（SiC）技术打造，面向包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业驱动、人工智能服务器电源及智能电网等多个高功率密度应用场景，提供更高效率、更低系统成本和更优热管理性能的解决方案。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-hth官网注册 为您介绍此系列产品优势及应用领域。

CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET系列产品型号

IMCQ120R026M2H

IMCQ120R034M2H

IMCQ120R040M2H

IMCQ120R053M2H

IMCQ120R078M2H

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封装革新：顶部散热带来多重优势

此次推出的CoolSiC™产品采用SMD（表面贴装）形式的顶部散热Q-DPAK封装，突破传统底部散热方式的限制。该封装通过将主要热量从器件顶部导出至散热器或风道，优化了PCB布局设计，显著降低寄生电感与热阻效应，同时提升了整体系统的散热效率。

相比传统底部散热方案，顶部散热结构简化了PCB布局复杂度，减少对厚铜层和多层地平面的依赖，有助于实现更高的装配自动化程度，并降低制造过程中的工艺难度和成本。

性能亮点：低导通损耗+优化开关特性

新一代CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET在电气性能方面表现出色：

极低RDS(on)（导通电阻），支持更高电流密度；

杂散电感小，提升开关瞬态响应能力；

第二代SiC技术带来优化的开关品质因数（FOM），显著降低开关损耗；

集成雪崩保护、短路保护与寄生导通抑制功能，增强器件鲁棒性；

支持950V RMS电压，满足污染等级2的应用环境要求；

封装材料具备CTI（相对漏电起痕指数）>600V，爬电距离超过4.8mm，具备优异的耐湿性和长期可靠性。

此外，该封装采用XT扩散焊技术，进一步提升内部连接的机械强度和热传导效率，确保器件在高温工况下稳定运行。

多领域适配，助力高效电源系统升级

得益于其出色的性能和封装灵活性，英飞凌新款CoolSiC™ MOSFET可广泛应用于以下关键场景：

电动汽车充电桩：提升能效与功率密度，缩短充电时间；

太阳能逆变器：实现更高转换效率与系统可靠性；

UPS不间断电源：降低运行损耗，延长后备供电时间；

SSCB（固态接触器）：支持快速响应与无弧切换；

工业驱动与伺服系统：提高动态响应与负载能力；

人工智能服务器电源：满足AI芯片高功耗下的高效供电需求；

CAV（恒压恒频电源系统）：保障电力输出稳定性。

推动碳化硅应用普及，降低总体拥有成本

英飞凌表示，此次推出的顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ MOSFET不仅在性能上实现了跨越，更重要的是降低了客户的设计门槛与系统BOM成本，推动碳化硅器件在中高功率市场的广泛应用。

随着全球能源转型加速推进，以及对高效、绿色、智能化电源系统的持续追求，英飞凌将持续拓展其SiC产品线，为工业客户打造更具竞争力的电力电子解决方案。