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英飞凌推出顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ SiC MOSFET,赋能高功率工业应用

来源:英飞凌| 发布日期:2025-05-30 14:05:54 浏览量:

近日,英飞凌科技正式发布采用新型顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET系列产品。该系列器件基于第二代碳化硅(SiC)技术打造,面向包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、工业驱动、人工智能服务器电源及智能电网等多个高功率密度应用场景,提供更高效率、更低系统成本和更优热管理性能的解决方案。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-hth官网注册 为您介绍此系列产品优势及应用领域。

CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET系列产品型号

IMCQ120R026M2H

IMCQ120R034M2H

IMCQ120R040M2H

IMCQ120R053M2H

IMCQ120R078M2H

如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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封装革新:顶部散热带来多重优势

此次推出的CoolSiC™产品采用SMD(表面贴装)形式的顶部散热Q-DPAK封装,突破传统底部散热方式的限制。该封装通过将主要热量从器件顶部导出至散热器或风道,优化了PCB布局设计,显著降低寄生电感与热阻效应,同时提升了整体系统的散热效率。

相比传统底部散热方案,顶部散热结构简化了PCB布局复杂度,减少对厚铜层和多层地平面的依赖,有助于实现更高的装配自动化程度,并降低制造过程中的工艺难度和成本。

性能亮点:低导通损耗+优化开关特性

新一代CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET在电气性能方面表现出色:

极低RDS(on)(导通电阻),支持更高电流密度;

杂散电感小,提升开关瞬态响应能力;

第二代SiC技术带来优化的开关品质因数(FOM),显著降低开关损耗;

集成雪崩保护、短路保护与寄生导通抑制功能,增强器件鲁棒性;

支持950V RMS电压,满足污染等级2的应用环境要求;

封装材料具备CTI(相对漏电起痕指数)>600V,爬电距离超过4.8mm,具备优异的耐湿性和长期可靠性。

此外,该封装采用XT扩散焊技术,进一步提升内部连接的机械强度和热传导效率,确保器件在高温工况下稳定运行。

多领域适配,助力高效电源系统升级

得益于其出色的性能和封装灵活性,英飞凌新款CoolSiC™ MOSFET可广泛应用于以下关键场景:

电动汽车充电桩:提升能效与功率密度,缩短充电时间;

太阳能逆变器:实现更高转换效率与系统可靠性;

UPS不间断电源:降低运行损耗,延长后备供电时间;

SSCB(固态接触器):支持快速响应与无弧切换;

工业驱动与伺服系统:提高动态响应与负载能力;

人工智能服务器电源:满足AI芯片高功耗下的高效供电需求;

CAV(恒压恒频电源系统):保障电力输出稳定性。

推动碳化硅应用普及,降低总体拥有成本

英飞凌表示,此次推出的顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ MOSFET不仅在性能上实现了跨越,更重要的是降低了客户的设计门槛与系统BOM成本,推动碳化硅器件在中高功率市场的广泛应用。

随着全球能源转型加速推进,以及对高效、绿色、智能化电源系统的持续追求,英飞凌将持续拓展其SiC产品线,为工业客户打造更具竞争力的电力电子解决方案。

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