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Vishay 推出新型车规级表面贴装厚膜功率电阻器 D2TO35M
发布时间:2024-11-29
Vishay 近日宣布推出一款采用 TO-263(D2PAK)封装的新型车规级表面贴装厚膜功率电阻器——Vishay Sfernice D2TO35M。这款电阻器通过了 AEC-Q200 认证,具有出色的多脉冲处理能力,在 25 °C 壳温下功率耗散可达 35 W,适用于各种汽车应用。性能优...
瑞萨RA8T1微控制器系列荣获“2024年度电机控制器十大主控芯片”奖项
发布时间:2024-11-29
近日,由电子发烧友主办的“2024年第五届电机控制技术市场表现奖”年度评选活动在深圳圆满举行。瑞萨电子的RA8T1微控制器系列凭借其卓越的性能表现,在众多参选产品中脱颖而出,荣获“2024年度电机控制器十大主控芯片”奖项。瑞萨电子嵌入式处...
瑞萨电子与国轩高科达成深度合作,共同推动新能源汽车智能化发展
发布时间:2024-11-29
近日,瑞萨电子与国轩高科动力能源正式签订合作伙伴协议,进一步深化双方在电池管理系统(BMS)领域的合作。此次协议的签署不仅是对过去合作成果的肯定,更是对未来发展方向的一次深刻洞察和前瞻布局。签约仪式签约仪式上,国轩高科高级副总裁程骞和...
英飞凌第二代CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装新品发布
发布时间:2024-11-29
英飞凌科技公司推出了采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列。这一新产品系列在第一代技术的基础上进行了显著改进,旨在加快系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。产品概述第二代CoolSiC™ G2 1200V...
明微电子SM16380和SM5368PF驱动芯片助力韩国仁川INSPIRE度假城极光道
发布时间:2024-11-29
2024年,韩国仁川迎来了一家超大型新世代娱乐度假城——INSPIRE。该度假城不仅集合了各种顶尖的娱乐度假体验,更是韩国娱乐文化的梦幻胜地。其中,最引人注目的莫过于巨型LED天花板“极光道”,它为游客带来了一场视觉与听觉的双重震撼体验。极光...
川土微电子CA-IS3720HS双通道标准数字隔离器技术参数及引脚图
发布时间:2024-11-29
CA-IS3720HS是川土微电子的一款高性能的双通道标准数字隔离器,旨在满足现代工业和汽车电子系统的严格要求。该器件拥有精确的时序特性和低电源损耗,适用于需要高可靠性和长使用寿命的应用场景。CA-IS372x系列中的CA-IS3720HS特别设计用于隔...
安森美NCV75215超声波传感器:引领泊车辅助和自动驾驶技术
发布时间:2024-11-28
自2007年以来,安森美一直是向各大汽车主机厂提供泊车辅助和自动驾驶专用超声波传感器接口的市场领导者。安森美的NCV75215超声波传感器与压电超声波换能器和一些附加电路相结合,可以提供基于飞行时间(ToF)的距离测量。产品优势该系统的优势在...
英飞凌推出 CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封装
发布时间:2024-11-28
英飞凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC™ MOSFET 650V G2,其导通电阻仅为7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装。这款产品以第1代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET 第2代在硬开关工...
瑞萨电子推出面向第二代DDR5 MRDIMM的完整内存接口芯片组解决方案
发布时间:2024-11-28
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块(MRDIMM)的完整内存接口芯片组解决方案。随着人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和其他数据中心应用对内存带宽的要求不断提高,新的DDR5 MRDIMM应运而生,...
Vishay 推出全新 150 V TrenchFET® Gen V N 沟道功率 MOSFET
发布时间:2024-11-28
Vishay 宣布推出采用 PowerPAK® SO-8S(QFN 6 x 5)封装的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 沟道功率 MOSFET,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用 PowerPAK SO-8 封装的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP 的总...
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